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驱动ic的工作原理

驱动IC：LED就是发光二极管，当二极管的数量多或者管子比较耗电量大时就需要驱动了，而且是几级驱动，抄把这几级驱动做到一个集成的电子芯片里，这个芯片就叫驱动IC，简单说就是发挥给二极管提供补偿电流的作用。

led驱动ic的工作原理：

芯片内含恒生电路，可透过电阻来设定输出恒流值。透过芯片的使能端可百以控制输出通道的开关时间，切度换频率达一兆赫(1MHz)。电流输出反应极快，支持高色阶变化及高画面刷新率的应用。内建开路侦测, 过热断电，及过电流保护功能，使应用系统的可靠性大为提升。

驱动方法：

· 利用知电流值的调节方法

· 利用脉冲幅变调技术的调节方法

电流值的调节方法主要是改变电流值调节的亮度，此处假设 时的光度为1倍，白光的光度与电流变化时的光度变成1.7倍，此时的光度变成3倍，虽然照度与电流值并不是比例关系，道不过红光却呈比例关系，主要原因是红、绿、蓝的晶片物性彼此相异所致。

MOSFET几种典型驱动电路（一）

MOSFET数字电路

数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中快的一种。MOSFET在数字信号处理上的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样，在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。

MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）信号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。

IGBT的驱动电路特点（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

输出特性与转移特性：

IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。

IGBT与MOSFET的对比：

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

主要优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。